Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée (DORS/89-202)

MODIFICATIONS NON EN VIGUEUR

• — DORS/2025-89, art. 1

  • • 1 (1) Le paragraphe 5506(1) de l’annexe de la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôléeNote de bas de page ¹ est remplacé par ce qui suit :

      • Retour à la référence de la note de bas de page ¹DORS/89-202; DORS/2009-128, art. 1

      • 5506

        • (1) Pour l’application du présent article, composite, développement, ensembles électroniques, laser, logiciel, matrice, production, substrat, substrats bruts, technologie, transistor à effet de champ à grille environnante (Gate-All-Around) (GAAFET) et utilisation ont le sens que le Guide leur attribue sous l’intertitre « Définitions des termes utilisés dans les groupes 1 et 2 ».

    • (2) Le sous-alinéa 5506(2)a)(i) de l’annexe de la même liste est remplacé par ce qui suit :

      • (i) les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou la production d’articles visés aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou à l’un des sous-alinéas c)(iii) et d)(iii), (iv) et (vi) à (viii),

    • (3) Le paragraphe 5506(2) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction avant l’alinéa b), de ce qui suit :

      • (iv) les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou la production d’articles visés au sous-alinéa d)(v);

    • (4) Le sous-alinéa 5506(2)b)(i) de l’annexe de la même liste est remplacé par ce qui suit :

      • (i) les technologies spécialement conçues ou modifiées pour le développement ou la production d’articles visés aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou à l’un des sous-alinéas c)(iii) et (iv) et d)(iii) à (viii) ou à l’alinéa e),

    • (5) Le paragraphe 5506(2) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction avant l’alinéa c), de ce qui suit :

      • (iii) les technologies visant le développement ou la production de systèmes de revêtement qui sont conçus pour prévenir la corrosion des matériaux composites à matrice céramique visés au paragraphe 1-1.C.7. du Guide et pour fonctionner à une température supérieure à 1373,15 K (1100 ℃),

        • NOTA :

          Au sous-alinéa (iii), système de revêtement s’entend du revêtement constitué d’au moins une couche de matériau déposé sur un substrat, p. ex., une couche de liaison, une couche intermédiaire ou une couche de finition.

      • (iv) les technologies visant le développement de logiciels visés au sous-alinéa a)(iv);

    • (6) Le paragraphe 5506(2) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction avant l’alinéa d), de ce qui suit :

      • (iii) les amplificateurs de signaux paramétriques qui sont conçus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 1 K (-272,15 ℃) et à une fréquence de 2 GHz à 15 GHz et dont le facteur de bruit est inférieur à 0,015 dB lorsqu’ils fonctionnent à cette température et à cette fréquence,

        • NOTA :

          Au sous-alinéa (iii), amplificateur de signaux paramétriques, ou amplificateur à limite quantique (QLA), comprend l’amplificateur à ondes progressives (TWPA).

      • (iv) les systèmes de refroidissement cryogéniques et composants suivants :

        • (A) les systèmes d’une puissance de refroidissement nominale de 600 µW ou plus à une température égale ou inférieure à 0,1 K (-273,05 °C) pendant plus de 48 heures,

        • (B) les systèmes de refroidissement cryogéniques à tube de pulsation double d’une puissance de refroidissement nominale de 1,5 W ou plus à une température égale ou inférieure à 4,2 K (-268,95 °C) qui maintiennent une température nominale inférieure à 4 K (-269,15 °C);

    • (7) L’alinéa 5506(2)d) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction après la note suivant la division (iv)(G), de ce qui suit :

      • (v) les équipements à fabrication additive qui sont conçus pour produire des composants constitués de métaux ou d’alliages métalliques et qui répondent aux critères ci-après, et ainsi que les composants spécialement conçus pour ceux-ci :

        • (A) l’une des sources de consolidation est :

          • (I) un laser,

          • (II) un faisceau électronique,

          • (III) un arc électrique,

        • (B) lors de la fabrication, l’atmosphère contrôlée est constiuée :

          • (I) soit d’un gaz inerte,

          • (II) soit d’un vide (pression égale ou inférieurs de 100 Pa),

        • (C) les équipements à configuration coaxiale ou à configuration paraxiale servant au contrôle en cours de procédé sont dotés :

          • (I) d’une caméra d’imagerie ayant une réponse de crête dont la longueur d’onde est de plus de 380 nm sans dépasser 14 000 nm,

          • (II) d’un pyromètre conçu pour mesurer des températures supérieures à 1273,15 K (1000 °C),

          • (III) d’un radiomètre ou un spectromètre ayant une réponse de crête dont la longueur d’onde est de plus de 380 nm sans dépasser 3000 nm,

        • (D) les systèmes de commande à boucle fermée qui sont conçus pour modifier les paramètres des sources de consolidation, les chemins de fabrication ou les réglages de l’équipement pendant le cycle de fabrication, utilisent la rétroaction des équipements de contrôle en cours de procédé visés à la division (C),

          • NOTA :

            1 Aux divisions (C) et (D), contrôle en cours de procédé, ou surveillance de procédé in situ, s’entend de l’observation du procédé de fabrication additive, et de la prise de mesures à cet égard notamment, la prise de mesures visant les émissions électromagnétiques ou thermiques du bain de fusion.

            2 À la division (C), configuration coaxiale, ou configuration en ligne, s’entend de la configuration dans laquelle au moins un capteur est fixé dans le chemin optique du laser qui est la source de consolidation.

            3 À la division (C), configuration paraxiale s’entend de la configuration dans laquelle au moins un capteur est fixé ou intégré au laser, au faisceau d’électrons ou à l’arc électrique qui est la source de consolidation.

            4 À la division (C), s’agissant de la configuration coaxiale et de la configuration paraxiale, le champ de vision des capteurs est rattaché au cadre mobile de la source de consolidation et se déplace, tout au long du procédé de fabrication, selon la trajectoire de balayage.

      • (vi) les masques et les réticules de lithographie par ultraviolet extrême (UVE) conçus pour des circuits intégrés et comprenant des blancs de substrat pour masque visés à l’alinéa 1-3.B.1.j du Guide,

        • NOTA :

          Le sous-alinéa (vi) s’applique également aux masques et réticules à pellicule.

      • (vii) les pellicules spécialement conçues pour la lithographie par ultraviolet extrême (UVE),

        • NOTA :

          1 Aux sous-alinéas (vi) et (vii), pellicule s’entend de la membrane intégrée à un cadre et conçue pour protéger le masque ou le réticule de la contamination par particules.

          2 Aux sous-alinéas (vi) et (vii), ultraviolet extrême (UVE) s’entend de longueurs d’onde du spectre électromagnétique supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm.

      • (viii) les équipements d’essai sous pointe cryogénique de plaquettes conçus pour réaliser des essais de dispositifs à une température égale ou inférieure à 4,5 K (-268,65 °C) et pour recevoir des plaquettes d’un diamètre égal ou supérieur à 100 mm;

      • e) les matériaux, qui ne sont pas visés au groupe 1 du Guide, à savoir :

        • (i) les matériaux épitaxiaux consistant en un substrat comportant au moins une couche obtenue par croissance épitaxiale de l’un des matériaux suivants :

          • (A) du silicium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30,

          • (B) du germanium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de germanium autres que le germanium-70, le germanium-72, le germanium-74 ou le germanium-76,

        • (ii) les fluorures, hydrures ou chlorures de silicium ou de germanium qui contiennent :

          • (A) soit du silicium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30,

          • (B) soit du germanium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de germanium autres que le germanium-70, le germanium-72, le germanium-74 ou le germanium-76,

        • (iii) les siliciums, les oxydes de silicium, le germanium ou les oxydes de germanium qui contiennent :

          • (A) soit du silicium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30,

          • (B) soit du germanium dont l’impureté isotopique est inférieure à 0,08 % d’isotopes de germanium autres que le germanium-70, le germanium-72, le germanium-74 ou le germanium-76.

            • NOTA :

              Le sous-alinéa (iii) comprend les substrats, les boulettes, les lingots, les boules et les préformes de ces matières.